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【南通純水設(shè)備 http://www.xqccs.cn】脫氮污泥漂浮現(xiàn)象引起的二次沉淀池是常見的在城市污水處理廠和工業(yè)廢水處理,和它的直接后果就是增加污水中的懸浮物含量,和內(nèi)容的BOD, COD、TN、TP和其他指標(biāo)也相應(yīng)增長。在嚴(yán)重情況下，污泥損失會導(dǎo)致系統(tǒng)運行不穩(wěn)定。

一、反硝化污泥漂浮的因素

    沉淀池底部固體濃度高，廢水(污水)需要在沉淀池中停留一段時間(缺氧條件)，增加了脫氮產(chǎn)生氮的可能性。當(dāng)?shù)娜芙舛瘸^臨界值(給定水壓下的飽和濃度)時，氮就會釋放出來。氮飽和度取決于漿體壓縮沉降到沉淀池底部過程中水的深度(增加氮的溶解度)和反硝化(增加氮的濃度)。實驗室純水設(shè)備在水池一定水深下純水設(shè)備，影響氮濃度的因素很多。泥水混合物中氮的濃度達到臨界值，增加了浮泥發(fā)生的概率。

1. 氮的溶解度

    氮在水中的溶解度取決于特定溫度和壓力下的氣液平衡，而氮在水中的飽和濃度會隨著溫度的升高而降低。在曝氣池中，氧氣的消耗導(dǎo)致氣相中氮的比例增加，從而促進液相中氮的增加，最終達到氣相和液相中氮的平衡。

呆的時間

    沉淀池污泥濃度高，DO低，大大促進了反硝化，停留時間越長，產(chǎn)生的氮越多。沉淀池的深度影響氮的飽和濃度(隨著水深的增加而增加)，因此沉淀池底部的氮的飽和濃度最高。在沉淀池出水的過程中，蘭州純水設(shè)備氮氣的飽和濃度會隨著壓力的降低而降低，從而導(dǎo)致氮氣的釋放和浮泥的形成。

3.脫氮率

    沉淀池中的氮主要由反硝化作用產(chǎn)生，反硝化速率主要取決于四個因素:沉淀池水中硝酸鹽濃度、溫度、可利用碳源、沉淀池污泥濃度純水設(shè)備。

rV = rx x x

輸入

RV——單位體積反硝化速率

Rx——微生物的反硝化速率隨溫度和可用碳源的變化

微生物濃度是污泥濃度、沉淀池運行方式、SVI等的函數(shù)

    對于硝化過程的活性污泥系統(tǒng)，南通純水設(shè)備到達沉淀池的碳源降解較慢，反硝化速率較低。溫度對脫氮過程有重要影響。隨著溫度的升高，內(nèi)源碳的反硝化速率將大幅度提高。

4、進水溶解氧濃度

    氧氣對反硝化過程有抑制作用(O2接受電子的能力遠遠高于NO2-和NO3-)，沉淀池進水中一定量的氧氣將延遲反硝化過程和抑制沉淀池中氮氣的產(chǎn)生。

二、避免反硝化浮泥的措施

1、優(yōu)化運行

    首先應(yīng)盡可能地降低進入二沉池的硝酸鹽濃度水處理設(shè)備，這可通過將硝化過程控制在低負荷下運行或設(shè)置缺氧池(單獨或合建)使反硝化在前序構(gòu)筑物內(nèi)完成來實現(xiàn)。另外，也可延長污泥齡以穩(wěn)定污泥(降低活性部分)和可生化的有機質(zhì)純水設(shè)備，從而降低沉淀池中的反硝化速率。

2、增加池深

    溫度對不同池在水溫較低的情況下由沉淀池深度增加所引起的飽和濃度差異較顯著(深度為3.5m和5m時的飽和濃度相差近6mg/L)，但當(dāng)水溫上升到20℃以上時，其濃度的差異顯著減小，在30℃時飽和濃度之差＜2mg/L。

隨著沉淀池深度的增加，氮氣的臨界飽和濃度也相應(yīng)增加，但在溫度高時不足以抵消因水力停留時間延長而產(chǎn)生的那部分氮氣，反而更易產(chǎn)生浮泥，故只能適當(dāng)增加設(shè)計池深。

3、減少污泥停留時間

    溫度上升時反硝化速率上升是導(dǎo)致浮泥產(chǎn)生的主要原因。實驗室純水設(shè)備在不影響泥水分離效果的前提下，適當(dāng)減少二沉池中的污泥停留時間以降低反硝化生成的氮氣量，有助于解決由反硝化引起的浮泥問題。

4、增加進水溶解氧濃度

    沉淀池進水中一定量的氧氣將延遲反硝化過程，但氧氣對大部分反硝化細菌本身卻并不抑制，而且這些細菌呼吸鏈的一些成分甚至需要在有氧的情況下才能合成。當(dāng)溫度＞20℃時，進水中的溶解氧(濃度很低)對反硝化過程的延遲極為有限，試驗中可投加H2O2作為氧源，但在工程上很難實現(xiàn)。

    綜上所述，在溫度較低時采取增加二沉池池深、適當(dāng)減少污泥停留時間及增加進水的溶解氧 濃度等措施來避免浮泥產(chǎn)生都是可行的，但當(dāng)溫度高時這些措施收效甚微，其原因一方面是水中氮氣的飽和濃度明顯下降，另一方面是硝化細菌活躍而使得硝化作用加強，造成沉淀池進水硝態(tài)氮濃度升高。 純水設(shè)備，工業(yè)純水設(shè)備, 蘇州水處理設(shè)備，醫(yī)用GMP純化水設(shè)備 ，醫(yī)用水處理設(shè)備。